A Samsung Electronics anunciou nesta quarta-feira (21/12) o desenvolvimento de sua DRAM DDR5 de 16 gigabits (Gb) construída com a primeira tecnologia de processo de classe de 12 nanômetros (nm) do setor, bem como a conclusão da avaliação do produto para compatibilidade com AMD.
“Nossa DRAM de 12 nm será um facilitador importante na adoção de DDR5 DRAM em todo o mercado”, afirmou Jooyoung Lee, vice-presidente executivo de Produtos e Tecnologia DRAM da Samsung Electronics. “Com desempenho excepcional e eficiência de energia, esperamos que nossa nova DRAM sirva como base para operações mais sustentáveis em áreas como computação de última geração, Data Centers e sistemas orientados por IA”, disse.
“A inovação muitas vezes requer estreita colaboração com parceiros da indústria para expandir os limites da tecnologia”, disse Joe Macri, vice-presidente sênior, membro corporativo e CTO de Computação e Gráficos da AMD. “Estamos entusiasmados por mais uma vez colaborar com a Samsung, principalmente na introdução de produtos de memória DDR5 otimizados e validados em plataformas Zen”, comentou.
Esse salto tecnológico foi possível graças ao uso de um novo material de alto K, que aumenta a capacitância da célula e uma tecnologia de design proprietária que melhora as características críticas do circuito. Combinada com a avançada litografia ultravioleta extrema (EUV) multicamada, a nova DRAM apresenta a maior densidade de matriz do setor, o que permite um ganho de 20% na produtividade do wafer.
Aproveitando o mais recente padrão DDR5, a DRAM de 12 nm da Samsung ajudará a desbloquear velocidades de até 7,2 gigabits por segundo (Gbps). Isso se traduz no processamento de dois filmes UHD de 30 gigabytes (GB) em apenas um segundo.
A velocidade da nova DRAM é acompanhada por uma maior eficiência energética. Consumindo até 23% menos energia do que a DRAM anterior, a DRAM de 12 nm será uma solução ideal para empresas globais de TI que buscam operações mais ecológicas.
Com a produção em massa marcada para começar em 2023, a Samsung planeja ampliar sua linha de DRAM baseada nessa tecnologia de ponta de processo de classe de 12nm em uma ampla gama de segmentos de mercado, enquanto continua a trabalhar com parceiros da indústria para apoiar a rápida expansão dos próximos computação de geração.
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