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Samsung anuncia o desenvolvimento de chips DRAM DDR5 de 12nm

Projeto teve colaboração da AMD e ajudará a desbloquear velocidades de até 7,2 gigabits por segundo (Gbps) e consumo até 23% inferior em comparação à geração anterior

Samsung anuncia o desenvolvimento de chips DRAM DDR5 de 12nm

A Samsung Electronics anunciou nesta quarta-feira (21/12) o desenvolvimento de sua DRAM DDR5 de 16 gigabits (Gb) construída com a primeira tecnologia de processo de classe de 12 nanômetros (nm) do setor, bem como a conclusão da avaliação do produto para compatibilidade com AMD.

“Nossa DRAM de 12 nm será um facilitador importante na adoção de DDR5 DRAM em todo o mercado”, afirmou Jooyoung Lee, vice-presidente executivo de Produtos e Tecnologia DRAM da Samsung Electronics. “Com desempenho excepcional e eficiência de energia, esperamos que nossa nova DRAM sirva como base para operações mais sustentáveis ​​em áreas como computação de última geração, Data Centers e sistemas orientados por IA”, disse.

Consumindo até 23% menos energia do que a DRAM anterior, a DRAM de 12 nm será uma solução ideal para empresas globais de TI que buscam operações mais ecológicas

“A inovação muitas vezes requer estreita colaboração com parceiros da indústria para expandir os limites da tecnologia”, disse Joe Macri, vice-presidente sênior, membro corporativo e CTO de Computação e Gráficos da AMD. “Estamos entusiasmados por mais uma vez colaborar com a Samsung, principalmente na introdução de produtos de memória DDR5 otimizados e validados em plataformas Zen”, comentou.

Esse salto tecnológico foi possível graças ao uso de um novo material de alto K, que aumenta a capacitância da célula e uma tecnologia de design proprietária que melhora as características críticas do circuito. Combinada com a avançada litografia ultravioleta extrema (EUV) multicamada, a nova DRAM apresenta a maior densidade de matriz do setor, o que permite um ganho de 20% na produtividade do wafer.

Aproveitando o mais recente padrão DDR5, a DRAM de 12 nm da Samsung ajudará a desbloquear velocidades de até 7,2 gigabits por segundo (Gbps). Isso se traduz no processamento de dois filmes UHD de 30 gigabytes (GB) em apenas um segundo.

A velocidade da nova DRAM é acompanhada por uma maior eficiência energética. Consumindo até 23% menos energia do que a DRAM anterior, a DRAM de 12 nm será uma solução ideal para empresas globais de TI que buscam operações mais ecológicas.

Com a produção em massa marcada para começar em 2023, a Samsung planeja ampliar sua linha de DRAM baseada nessa tecnologia de ponta de processo de classe de 12nm em uma ampla gama de segmentos de mercado, enquanto continua a trabalhar com parceiros da indústria para apoiar a rápida expansão dos próximos computação de geração.

Serviço
www.samsung.com

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