Samsung inicia a produção em massa de NAND vertical de oitava geração

A Samsung Electronics, fabricante global de tecnologia de memória avançada, anunciou nesta segunda-feira (711) que iniciou a produção em massa de uma célula de nível triplo (TLC) de 1 terabit (Tb) de oitava geração NAND vertical (V-NAND) com a maior densidade de bits do setor. Com 1 TB (terabyte), o novo V-NAND também apresenta a maior capacidade de armazenamento até hoje, permitindo maior espaço em sistemas de servidores corporativos de próxima geração em todo o mundo.

“À medida que a demanda do mercado por armazenamento mais denso e de maior capacidade exige contagens mais altas de camadas V-NAND, a Samsung adotou sua avançada tecnologia de dimensionamento 3D para reduzir a área de superfície e a altura, evitando a interferência de célula a célula que normalmente ocorre com a redução”, disse SungHoi Hur, vice-presidente executivo de Produtos e Tecnologia Flash da Samsung Electronics. “Nosso V-NAND de oitava geração ajudará a atender à crescente demanda do mercado e nos posicionará melhor para fornecer produtos e soluções mais diferenciados, que serão a base das futuras inovações de armazenamento”, afirmou.

A Samsung conseguiu atingir a densidade de bits mais alta do setor aumentando significativamente a produtividade de bits por wafer. Com base na interface Toggle DDR 5.0 – o mais recente padrão de flash NAND – o V-NAND de oitava geração da Samsung apresenta uma velocidade de entrada e saída (E/S) de até 2,4 gigabits por segundo (Gbps), um aumento de 1,2 vezes em relação ao geração anterior. Isso permitirá que o novo V-NAND acomode os requisitos de desempenho do PCIe 4.0 e, posteriormente, do PCIe 5.0.

Espera-se que o V-NAND de oitava geração sirva como a base para configurações de armazenamento que ajudam a expandir a capacidade de armazenamento em servidores corporativos de próxima geração, ao mesmo tempo em que estende seu uso ao mercado automotivo, onde a confiabilidade é especialmente crítica.

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