Samsung inicia a produção em massa de sua DRAM DDR5 de 12 nm

A Samsung Electronics, empresa de tecnologia de memória avançada, anunciou nesta sexta-feira (19/5) que sua DRAM DDR5 de 16 gigabits (Gb), que utiliza a tecnologia de processo de classe de 12 nanômetros (nm) mais avançada do setor, iniciou a produção em massa. A conclusão do processo de fabricação de última geração pela Samsung reafirma sua liderança em tecnologia DRAM de ponta.

“Usando tecnologia de processo diferenciada, a DRAM DDR5 de classe de 12 nm líder da indústria da Samsung oferece excelente desempenho e eficiência de energia”, disse Jooyoung Lee, vice-presidente executivo de Produtos e Tecnologia DRAM da Samsung Electronics. “Nossa DRAM mais recente reflete nosso compromisso contínuo em liderar o mercado de DRAM, não apenas com produtos de alto desempenho e alta capacidade que atendem à demanda do mercado de computação para processamento em larga escala, mas também com a comercialização de soluções de próxima geração que suportam maior produtividade”, completou.

Em comparação com a geração anterior, a nova DRAM DDR5 da classe de 12 nm da Samsung reduz o consumo de energia em até 23%, ao mesmo tempo em que aumenta a produtividade do wafer em até 20%. Sua excelente eficiência de energia o torna a solução ideal para empresas globais de TI que desejam reduzir o consumo de energia e a pegada de carbono de seus servidores e Data Centers.

O desenvolvimento da tecnologia de processo da classe 12nm da Samsung foi possível graças ao uso de um novo material de alto κ que ajuda a aumentar a capacitância da célula. Alta capacitância resulta em uma diferença significativa de potencial elétrico nos sinais de dados, o que torna mais fácil distingui-los com precisão. Os esforços da empresa para reduzir a tensão operacional e o ruído também ajudaram a fornecer a solução ideal de que os clientes precisam.

Com uma velocidade máxima de 7,2 gigabits por segundo (Gbps) – traduzindo-se em velocidades que podem processar dois filmes UHD de 30 GB em cerca de um segundo – a linha de DRAM DDR5 de classe de 12nm da Samsung suportará uma lista crescente de aplicativos, incluindo centros de dados, inteligência artificial e computação de última geração.

A Samsung concluiu sua avaliação de DRAM DDR5 de 16 gigabits para compatibilidade com a AMD em dezembro passado e continua a colaborar com empresas globais de TI para impulsionar a inovação no mercado de DRAM de próxima geração.

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