Samsung inicia a produção em massa do QLC V-NAND de 9ª geração

A Samsung Electronics, fabricante mundial de tecnologia avançada de memória, anunciou o início da produção em massa de seu NAND vertical (V-NAND) de 9ª geração de célula de nível quádruplo (Tb) de um terabit (Tb).

Com a primeira produção em massa do setor de QLC V-NAND de 9ª geração, após a primeira produção de V-NAND de 9ª geração de célula de nível triplo (TLC) do setor em abril deste ano, a Samsung está solidificando sua liderança no mercado de flash NAND de alta capacidade e alto desempenho.

“Iniciar a produção em massa bem-sucedida do QLC V-NAND de 9ª geração apenas quatro meses após a versão TLC nos permite oferecer uma linha completa de soluções avançadas de SSD que atendem às necessidades da era da IA”, disse SungHoi Hur, vice-presidente executivo e chefe de Produto e Tecnologia Flash da Samsung Electronics. “À medida que o mercado de SSD corporativo mostra um rápido crescimento com uma demanda mais forte por aplicativos de IA, continuaremos a solidificar nossa liderança no segmento por meio de nosso QLC e TLC V-NAND de 9ª geração”, completou.

A Samsung planeja expandir os aplicativos do QLC V-NAND de 9ª geração, começando com produtos de consumo de marca e estendendo-se para armazenamento flash universal móvel (UFS), PCs e SSDs de servidor para clientes, incluindo provedores de serviços em Nuvem.

O V-NAND QLC de 9ª geração da Samsung reúne uma série de inovações que produziram avanços tecnológicos:

– A tecnologia Channel Hole Etching da Samsung foi usada para alcançar a maior contagem de camadas do setor com uma estrutura de pilha dupla. Utilizando a experiência tecnológica adquirida com o TLC V-NAND de 9ª geração, a área das células e os circuitos periféricos foram otimizados, alcançando uma densidade de bits líder do setor aproximadamente 86% maior do que a da geração anterior QLC V-NAND.

– A tecnologia de molde projetado ajusta o espaçamento das linhas de palavras (WL), que operam as células, para garantir uniformidade e otimização das características da célula entre e dentro das camadas. Essas características tornaram-se cada vez mais importantes à medida que as contagens de camadas V-NAND aumentam. A adoção do molde projetado melhorou o desempenho de retenção de dados em cerca de 20% em comparação com as versões anteriores, levando a uma maior confiabilidade do produto.

– A tecnologia do Programa Preditivo antecipa e controla as alterações de estado da célula para minimizar ações desnecessárias. O V-NAND QLC de 9ª geração da Samsung dobrou o desempenho de gravação e melhorou a velocidade de entrada/saída de dados em 60% por meio de avanços nessa tecnologia.

– O consumo de energia de leitura e gravação de dados diminuiu cerca de 30% e 50%, respectivamente, com o uso do design de baixa potência Este método reduz a tensão que acionaas células NAND e minimiza o consumo de energia detectando apenas as linhas de bits (BL) necessárias.