A Samsung Electronics, empresa global de tecnologia avançada de semicondutores, anunciou que fornecerá a próxima geração de CPU Arm Cortex-X otimizada na mais recente tecnologia de processo Gate-All-Around (GAA) da Samsung Foundry. Esta iniciativa baseia-se em anos de parceria com milhões de dispositivos fornecidos com propriedade intelectual (IP) da CPU Arm em vários nós de processo oferecidos pela Samsung Foundry.
Esta colaboração prepara o terreno para uma série de anúncios e inovações planejadas entre a Samsung e a Arm. As empresas têm planos ousados para reinventar o GAA de 2 nanômetros (nm) para Data Center de próxima geração e silício personalizado de infraestrutura, bem como uma solução inovadora de chiplet de IA que revolucionará o futuro mercado de computação móvel de Inteligência Artificial generativa (GenAI).
“À medida que continuamos na era da IA generativa, estamos entusiasmados em estender nossa parceria com a Arm para fornecer a próxima geração de CPU Cortex-X, permitindo que nossos clientes em comum criem produtos inovadores”, disse Jongwook Kye, vice-presidente executivo e chefe de Desenvolvimento de Plataforma de Design de Fundição da Samsung Electronics. “Tanto a Samsung quanto a Arm construíram uma base sólida a partir de muitos anos de colaboração. Este nível sem precedentes de co-otimização de tecnologia de design profundo resultou em uma conquista inovadora, fornecendo acesso à mais nova CPU Cortex no mais recente nó de processo GAA”, comentou.
“Nossa colaboração de longa data com a Samsung proporcionou inovação de ponta de várias gerações”, disse Chris Bergey, vice-presidente sênior e gerente-geral de Negócios de Clientes da Arm. “Otimizar os processadores Cortex-X e Cortex-A no mais recente nó de processo da Samsung ressalta nossa visão compartilhada de redefinir o que é possível na computação móvel, e estamos ansiosos para continuar a expandir os limites para atender às implacáveis demandas de desempenho e eficiência da era da IA”, afirmou.
A Samsung anunciou sua produção inicial de 3nm Multi-Bridge-Channel FET (MBCFET), baseado na tecnologia GAA da Samsung em 2022. A tecnologia GAA permite o dimensionamento adicional do dispositivo além da geração FinFET, melhorando a eficiência energética com nível de tensão de alimentação reduzido e desempenho aprimorado com maior capacidade de corrente de acionamento. A abordagem de implementação GAA com estrutura de nanofolhas oferece máxima flexibilidade de projeto e escalabilidade.
Projetado com o nó de processo GAA de próxima geração da Samsung, a Arm entregou a mais nova CPU Cortex-X otimizada com melhorias adicionais de desempenho e eficiência para levar a experiência do usuário para o próximo nível.
Com a pressão contínua para que os produtos sejam entregues no prazo, é fundamental garantir o silício certo pela primeira vez com os atributos de potência, desempenho e área (PPA) mais competitivos. O projeto e a fabricação não podem mais ser otimizados separadamente. Desde o início, as equipes da Samsung e da Arm adotaram a co-otimização de tecnologia de design (DTCO), que tem sido um fator crítico para maximizar os benefícios do PPA para a arquitetura de design de CPU Cortex-X de próxima geração e a tecnologia de processo GAA.
A IA generativa é um importante impulsionador de crescimento para uma nova onda de produtos que oferecem uma experiência de usuário superior. Através desta colaboração, a Samsung e a Arm estão acelerando o acesso à implementação otimizada da CPU Cortex-X de próxima geração na mais recente tecnologia de processo GAA da Samsung, permitindo a próxima geração de inovações de produtos com desempenho líder da indústria.
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