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NEC desenvolve amplificador de potência para redes de próxima geração

Espera-se que o 5G Advanced e o 6G forneçam comunicações de alta velocidade e alta capacidade de 100 Gbps, equivalente a 10 vezes a velocidade do 5G atual

NEC desenvolve amplificador de potência para redes de próxima geração

A NEC Corporation anunciou que desenvolveu um amplificador de potência que servirá como um dispositivo-chave para acesso móvel e equipamento de comunicação sem fio fronthaul/backhaul para permitir comunicações de alta velocidade e alta capacidade para redes 5G avançadas e 6G. Este amplificador de potência usa a tecnologia GaAs que pode ser produzida em massa e alcançou a maior potência de saída do mundo de 10 mW na banda de 150 GHz. Aproveitando isso, a NEC visa acelerar o desenvolvimento de equipamentos e a implementação social.

No futuro, a NEC continuará desenvolvendo tecnologias destinadas a alcançar comunicações sem fio de alta velocidade, alta capacidade e econômicas para 5G Advanced e 6G

Espera-se que o 5G Advanced e o 6G forneçam comunicações de alta velocidade e alta capacidade de 100 Gbps, equivalente a 10 vezes a velocidade do 5G atual. Isso pode ser alcançado com eficiência por meio do uso da banda subterahertz (100 a 300 GHz), que pode fornecer uma ampla largura de banda de 10 GHz ou mais. Em particular, espera-se a comercialização antecipada da banda D (130 a 174,8 GHz), alocada internacionalmente para comunicações fixas sem fio.

A NEC continua a fazer avanços no desenvolvimento tecnológico, alavancando seu conhecimento de bandas de alta frequência cultivadas por meio do desenvolvimento e operação de equipamentos de rádio para estações base 5G e PASOLINK, um sistema de comunicação de micro-ondas ultracompacto que conecta estações base via comunicação sem fio.

O amplificador de potência recém-desenvolvido usa um processo pseudomórfico de transistor de alta mobilidade de elétrons (pHEMT) pseudomórfico de 0,1 μm de arsenieto de gálio (GaAs). Em comparação com o CMOS e o germânio de silício (SiGe) usados ​​para a banda subterahertz, os GaAs pHEMTs têm alta tensão de operação e custos iniciais mais baixos para produção em massa.

Em termos de projeto de circuito, este amplificador de potência elimina fatores que degradam o desempenho na banda de alta frequência e usa uma configuração de rede de correspondência de impedância adequada para alta potência de saída. Isso resultou na obtenção de excelentes características de alta frequência entre 110 GHz e 150 GHz, bem como a maior potência de saída do mundo para um GaAs pHEMT.

Além da realização de equipamentos de comunicação de rádio de alto desempenho e baixo custo acima de 100 GHz, este amplificador de potência acelerará a implementação social de 5G Advanced e 6G.

No futuro, a NEC continuará desenvolvendo tecnologias destinadas a alcançar comunicações sem fio de alta velocidade, alta capacidade e econômicas para 5G Advanced e 6G.

Serviço
www.nec.com

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