Samsung anuncia produção em massa de DRAM multicamada

A Samsung Electronics, fabricante mundial de memória avançada, anunciou que começou a produzir em massa a menor DRAM da indústria, de 14 nanômetros (nm), baseada na tecnologia ultravioleta extrema (EUV) multicamadas. Após a remessa pela empresa do primeiro EUV DRAM da indústria em março do ano passado, a Samsung aumentou o número de camadas EUV para cinco para fornecer o melhor e mais avançado processo de DRAM da atualidade para suas soluções DDR5.

“Lideramos o mercado de DRAM há quase três décadas, sendo pioneiros em inovações de tecnologia de padronização-chave”, disse Jooyoung Lee, vice-presidente sênior e chefe de Produtos e Tecnologia DRAM da Samsung Electronics. “Hoje, a Samsung está estabelecendo outro marco tecnológico com o EUV multicamadas, que permitiu a miniaturização extrema a 14 nm – um feito impossível com o processo convencional de fluoreto de argônio. Com base nesse avanço, continuaremos a fornecer as soluções de memória mais diferenciadas, atendendo totalmente à necessidade de maior desempenho e capacidade no mundo baseado em dados de 5G, IA e metaverso”, comentou.

À medida que a DRAM continua a diminuir a faixa de 10 nm, a tecnologia EUV torna-se cada vez mais importante para melhorar a precisão da padronização para maior desempenho e maiores rendimentos. Ao aplicar cinco camadas EUV à sua DRAM de 14 nm, a Samsung alcançou a densidade de bits mais alta, melhorando a produtividade geral do wafer em aproximadamente 20%. Além disso, o processo de 14 nm pode ajudar a reduzir o consumo de energia em quase 20% em comparação com o nó DRAM da geração anterior.

Aproveitando o padrão DDR5 mais recente, o DRAM de 14 nm da Samsung ajudará a desbloquear velocidades sem precedentes de até 7,2 gigabits por segundo (Gbps), que é mais do que o dobro da velocidade DDR4 de até 3,2 Gbps

A Samsung planeja expandir seu portfólio DDR5 de 14 nm para oferecer suporte a centros de dados, supercomputadores e aplicativos de servidor corporativo. Além disso, a Samsung espera aumentar sua densidade de chip DRAM de 14 nm para 24 Gb, atendendo melhor às crescentes demandas de dados de sistemas globais de TI.

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