Samsung inicia produção em massa de V-NAND de nona geração

A Samsung Electronics, fornecedora mundial de tecnologia avançada de memória, anunciou nesta terça-feira (23/4) que iniciou a produção em massa de sua célula de nível triplo (TLC) de 1 Tb (Terabit) de 9ª geração NAND Vertical (V-NAND), solidificando sua liderança no mercado de flash NAND.

“Estamos entusiasmados em entregar o primeiro V-NAND de 9ª geração do setor, que trará saltos futuros de aplicações. A fim de atender às necessidades em evolução para soluções flash NAND, a Samsung ultrapassou os limites na arquitetura de células e no esquema operacional para nosso produto de próxima geração”, afirmou SungHoi Hur, chefe de Produto Flash e Tecnologia do Negócio de Memória da Samsung Electronics. “Por meio de nosso mais recente V-NAND, a Samsung continuará a definir a tendência para o mercado de unidades de estado sólido (SSD) de alto desempenho e alta densidade que atende às necessidades da próxima geração de IA”, completou.

Com o menor tamanho de célula da indústria e o molde mais fino, a Samsung melhorou a densidade de bits do V-NAND de 9ª geração em cerca de 50% em comparação com o V-NAND de 8ª geração. Novos recursos, como a prevenção de interferência celular e a extensão da vida útil das células, foram aplicadas para melhorar a qualidade e a confiabilidade do produto, enquanto a eliminação de orifícios de canais fictícios reduziu significativamente a área planar das células de memória.

Além disso, a avançada tecnologia de “gravação de furos de canal” da Samsung mostra a liderança da empresa em recursos de processo. Essa tecnologia cria caminhos de elétrons empilhando camadas de molde e maximiza a produtividade de fabricação, pois permite a perfuração simultânea da maior contagem de camadas de células da indústria em uma estrutura de pilha dupla. À medida que o número de camadas celulares aumenta, a capacidade de perfurar números de células mais altos torna-se essencial, exigindo técnicas de condicionamento mais sofisticadas.

O V-NAND de 9ª geração é equipado com a interface flash NAND de próxima geração, “Toggle 5.1”, que suporta velocidades de entrada/saída de dados aumentadas em 33% para até 3,2 gigabits por segundo (Gbps). Junto com essa nova interface, a Samsung planeja solidificar sua posição no mercado de SSDs de alto desempenho, expandindo o suporte para PCIe 5.0.

O consumo de energia também foi melhorado em 10% com avanços no design de baixa potência, em comparação com a geração anterior. À medida que a redução do uso de energia e das emissões de carbono se torna vital para os clientes, espera-se que o V-NAND de 9ª geração da Samsung seja uma solução ideal para aplicações futuras.

A Samsung iniciou a produção em massa do V-NAND de 9ª geração TLC de 1Tb este mês, seguido pelo modelo quad level cell (QLC) no segundo semestre deste ano.