A Samsung Electronics, provedora global de tecnologia avançada de memória, anunciou nesta terça0feira (27/2) que desenvolveu o HBM3E 12H, a primeira DRAM HBM3E de 12 pilhas do setor e o produto HBM de maior capacidade até o momento. O HBM3E 12H da Samsung oferece uma largura de banda de até 1.280 gigabytes por segundo (GB/s) e uma capacidade líder do setor de 36 gigabytes (GB). Em comparação com o HBM3 8H de 8 pilhas, ambos os aspectos melhoraram em mais de 50%.
“Os provedores de serviços de IA da indústria estão exigindo cada vez mais HBM com maior capacidade, e o nosso novo produto HBM3E 12H foi projetado para responder a essa necessidade”, disse Yongcheol Bae, vice-presidente executivo de Planejamento de Produtos de Memória da Samsung Electronics. “Esta nova solução de memória faz parte de nosso esforço para desenvolver tecnologias principais para HBM de alta pilha e fornecer liderança tecnológica para o mercado de HBM de alta capacidade na era da IA”, completou.
O HBM3E 12H aplica filme não condutor de compressão térmica avançada (TC NCF), permitindo que os produtos de 12 camadas tenham a mesma especificação de altura que os de 8 camadas para atender aos requisitos atuais do pacote HBM. Espera-se que a tecnologia tenha benefícios adicionais, especialmente com pilhas mais altas, à medida que a indústria busca mitigar o empenamento de matrizes de chips que vêm com matrizes mais finas. A Samsung continuou a reduzir a espessura de seu material NCF e alcançou a menor lacuna entre chips da indústria, de sete micrômetros (μm), ao mesmo tempo em que eliminou vazios entre camadas. Esses esforços resultam em maior densidade vertical em mais de 20% em comparação com seu produto HBM3 8H.
O avançado TC NCF da Samsung também melhora as propriedades térmicas do HBM, permitindo o uso de bumps em vários tamanhos entre os chips. Durante o processo de colagem de cavacos, solavancos menores são usados em áreas para sinalização e os maiores são colocados em pontos que exigem dissipação de calor. Este método também ajuda com maior rendimento do produto.
À medida que os aplicativos de IA crescem exponencialmente, espera-se que o HBM3E 12H seja uma solução ideal para sistemas futuros que exigem mais memória. Seu maior desempenho e capacidade permitirão especialmente que os clientes gerenciem seus recursos de forma mais flexível e reduzam o custo total de propriedade (TCO) para datacenters. Quando usado em aplicações de IA, estima-se que, em comparação com a adoção do HBM3 8H, a velocidade média para o treinamento de IA pode ser aumentada em 34%, enquanto o número de usuários simultâneos de serviços de inferência pode ser expandido mais de 11,5 vezes.
A Samsung começou a testar seu HBM3E 12H para os clientes e a produção em massa está prevista para o primeiro semestre deste ano.
Serviço
www.samsung.com
Leia nesta edição:
CAPA | TECNOLOGIA
Centros de Dados privados ainda geram bons negócios
TENDÊNCIA
Processadores ganham centralidade com IA
TIC APLICADA
Digitalização do canteiro de obras
Esta você só vai ler na versão digital
TECNOLOGIA
A tecnologia RFID está madura, mas há espaço para crescimento
Baixe o nosso aplicativo