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Samsung desenvolve a primeira DRAM HBM3E 12H de 36 GB da indústria

Nova solução de memória alcança a maior capacidade HBM da indústria com uma pilha de 12 camadas, aumentando o desempenho e a capacidade em mais de 50%

Samsung desenvolve a primeira DRAM HBM3E 12H de 36 GB da indústria

A Samsung Electronics, provedora global de tecnologia avançada de memória, anunciou nesta terça0feira (27/2) que desenvolveu o HBM3E 12H, a primeira DRAM HBM3E de 12 pilhas do setor e o produto HBM de maior capacidade até o momento. O HBM3E 12H da Samsung oferece uma largura de banda de até 1.280 gigabytes por segundo (GB/s) e uma capacidade líder do setor de 36 gigabytes (GB). Em comparação com o HBM3 8H de 8 pilhas, ambos os aspectos melhoraram em mais de 50%.

À medida que os aplicativos de IA crescem exponencialmente, espera-se que o HBM3E 12H seja uma solução ideal para sistemas futuros que exigem mais memória

“Os provedores de serviços de IA da indústria estão exigindo cada vez mais HBM com maior capacidade, e o nosso novo produto HBM3E 12H foi projetado para responder a essa necessidade”, disse Yongcheol Bae, vice-presidente executivo de Planejamento de Produtos de Memória da Samsung Electronics. “Esta nova solução de memória faz parte de nosso esforço para desenvolver tecnologias principais para HBM de alta pilha e fornecer liderança tecnológica para o mercado de HBM de alta capacidade na era da IA”, completou.

O HBM3E 12H aplica filme não condutor de compressão térmica avançada (TC NCF), permitindo que os produtos de 12 camadas tenham a mesma especificação de altura que os de 8 camadas para atender aos requisitos atuais do pacote HBM. Espera-se que a tecnologia tenha benefícios adicionais, especialmente com pilhas mais altas, à medida que a indústria busca mitigar o empenamento de matrizes de chips que vêm com matrizes mais finas. A Samsung continuou a reduzir a espessura de seu material NCF e alcançou a menor lacuna entre chips da indústria, de sete micrômetros (μm), ao mesmo tempo em que eliminou vazios entre camadas. Esses esforços resultam em maior densidade vertical em mais de 20% em comparação com seu produto HBM3 8H.

O avançado TC NCF da Samsung também melhora as propriedades térmicas do HBM, permitindo o uso de bumps em vários tamanhos entre os chips. Durante o processo de colagem de cavacos, solavancos menores são usados em áreas para sinalização e os maiores são colocados em pontos que exigem dissipação de calor. Este método também ajuda com maior rendimento do produto.

À medida que os aplicativos de IA crescem exponencialmente, espera-se que o HBM3E 12H seja uma solução ideal para sistemas futuros que exigem mais memória. Seu maior desempenho e capacidade permitirão especialmente que os clientes gerenciem seus recursos de forma mais flexível e reduzam o custo total de propriedade (TCO) para datacenters. Quando usado em aplicações de IA, estima-se que, em comparação com a adoção do HBM3 8H, a velocidade média para o treinamento de IA pode ser aumentada em 34%, enquanto o número de usuários simultâneos de serviços de inferência pode ser expandido mais de 11,5 vezes.

A Samsung começou a testar seu HBM3E 12H para os clientes e a produção em massa está prevista para o primeiro semestre deste ano.

Serviço
www.samsung.com

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