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As inovações que impulsionarão a Intel nos próximos anos

A gigante dos semicondutores apresentou o seu roteiro de tecnologia, com novidades que prometem alavancar o protagonismo da empresa até 2025

As inovações que impulsionarão a Intel nos próximos anos

A Intel revelou detalhes de seu roteiro de tecnologia de embalagem, apresentando uma série de inovações que impulsionarão os produtos e a empresa até 2025, já que ela vinha perdendo seu protagonismo no mercado com o avanço da concorrência. Além de anunciar o RibbonFET, sua primeira nova arquitetura de transistor em mais de uma década, e o PowerVia, um novo método de fornecimento de energia para transistor, a empresa destacou sua adoção rápida à litografia ultravioleta extrema de próxima geração (EUV), referida como EUV High Numerical Aperture (High NA). A Intel está posicionada para receber a primeira ferramenta de produção EUV de High NA da indústria.

“Com base na liderança inquestionável da Intel em embalagens avançadas, estamos acelerando nosso roteiro de inovação para garantir que estejamos em um caminho claro para a liderança em desempenho de processos até 2025”, disse Pat Gelsinger (foto), CEO da Intel, durante o webcast global Intel Accelerated. “Estamos alavancando nosso pipeline de inovação para entregar avanços tecnológicos desde o transistor até o nível do sistema. Até que a tabela periódica se esgote, seremos implacáveis ​​em nossa busca pela Lei de Moore e em nosso caminho para inovar com a magia do silício”, comentou.

Segundo a empresa, a indústria reconheceu há muito tempo que a nomenclatura de nó de processo baseada em nanômetro tradicional parou de corresponder à métrica de comprimento de porta real em 1997. A Intel introduziu uma nova estrutura de nomenclatura para seus nós de processo, criando uma estrutura clara e consistente para dar aos clientes uma visão mais precisa de nós de processo em toda a indústria. Essa clareza é mais importante do que nunca com o lançamento dos Serviços Intel Foundry. “As inovações reveladas hoje não permitirão apenas o roadmap de produtos da Intel; eles também serão essenciais para nossos clientes de fundição”, disse Gelsinger, aproveitando para anunciar os dois primeiros clientes importantes, a Qualcomm e a AWS.

Novos chips

Os tecnólogos da Intel descreveram o roadmap com os novos nomes dos nós e as inovações que habilitam cada um. O Intel 7 oferece um aumento de aproximadamente 10% a 15% no desempenho por watt em comparação ao Intel 10nm SuperFin, com base nas otimizações do transistor FinFET. O Intel 7 será apresentado com o nome Alder Lake para o cliente em 2021 e Sapphire Rapids para Data Center, que deverá estar em produção no primeiro trimestre de 2022.

O Intel 4 adota totalmente a litografia EUV para imprimir recursos incrivelmente pequenos usando luz de comprimento de onda ultracurto. Com um aumento de aproximadamente 20% no desempenho por watt, junto com melhorias de área, o Intel 4 estará pronto para produção na segunda metade de 2022 e para produtos em 2023, incluindo Meteor Lake para o cliente e Granite Rapids para Data Center.

O Intel 3 aproveita mais otimizações FinFET e aumento de EUV para fornecer um aumento de desempenho por watt de aproximadamente 18% em relação ao Intel 4, junto com melhorias de área adicionais. O Intel 3 estará pronto para ser embarcado em  produtos na segunda metade de 2023.

O Intel 20A inaugura a era angstrom (unidade de medida equivalente a 0,1nm) com duas tecnologias inovadoras, RibbonFET e PowerVia. A primeira é a implementação da Intel de um transistor gate-all-around e será a primeira nova arquitetura de transistor da empresa desde que foi pioneira no FinFET em 2011. A tecnologia oferece velocidades de comutação de transistores mais rápidas, ao mesmo tempo em que atinge a mesma corrente de unidade que várias aletas em um espaço menor. O PowerVia é a implementação exclusiva da Intel para fornecimento de energia ao transistor, otimizando a transmissão de sinal ao eliminar a necessidade de roteamento de energia na parte frontal do wafer. Espera-se que a Intel 20A cresça em 2024. A empresa também está animada com a oportunidade de fazer parceria com a Qualcomm usando sua tecnologia de processo Intel 20A.

Além do Intel 20A, o Intel 18A já está em desenvolvimento para o início de 2025, com aprimoramentos para o RibbonFET, que proporcionará outro grande salto no desempenho do transistor. A Intel também está trabalhando para definir, construir e implementar o High NA EUV de próxima geração e espera receber a primeira ferramenta de produção do setor. A Intel está fazendo uma parceria estreita com a ASML para garantir o sucesso desta inovação da indústria além da geração atual de EUV.

“A Intel tem uma longa história de inovações de processos fundamentais que impulsionaram a indústria aos trancos e barrancos”, disse a Dra. Ann Kelleher (foto), vice-presidente sênior e gerente geral de Desenvolvimento de Tecnologia da Intel. “Lideramos a transição para o silício deformado a 90nm, para portas de metal high-k a 45nm e para FinFET a 22nm. Intel 20A será outro momento divisor de águas em tecnologia de processo com duas inovações revolucionárias: RibbonFET e PowerVia”, garantiu.

Empacotamento

Com a nova estratégia IDM 2.0 da Intel, o empacotamento está se tornando ainda mais importante para perceber os benefícios da Lei de Moore. A Intel anunciou que a AWS será o primeiro cliente a usar as soluções de empacotamento IFS, ao mesmo tempo em que forneceu o roteiro de empacotamento avançado da empresa. O EMIB (Embedded Multi-die Interconnect Bridge)  continua a liderar o setor como a primeira solução de ponte embutida 2,5D, com produtos sendo comercializados desde 2017. Sapphire Rapids será o primeiro produto de Data Center Intel Xeon a ser fornecido em volume com EMIB. Ele também será o primeiro dispositivo com tamanho de retículo duplo na indústria, oferecendo quase o mesmo desempenho de um design monolítico. Além do Sapphire Rapids, a próxima geração do EMIB passará de 55 mícrons para 45 mícrons.

O Foveros aproveita os recursos de empacotamento de nível de wafer para fornecer uma solução de stacking 3D inédita. O Meteor Lake será a implementação de segunda geração do Foveros em um produto cliente de 36 mícrons, abrangendo vários nós de tecnologia e uma faixa de potência de design térmico de 5 a 125W.

O Foveros Omni inaugura a próxima geração da tecnologia Foveros, fornecendo flexibilidade ilimitada com tecnologia de stacking 3D de desempenho para interconexão molde a molde e projetos modulares. O Foveros Omni deve estar pronto para fabricação em volume em 2023.

O Foveros Direct move-se para a ligação direta de cobre a cobre para interconexões de baixa resistência e confunde a fronteira entre onde o wafer termina e onde o pacote começa. O Foveros Direct permite passos de colisão abaixo de 10 mícrons, proporcionando um aumento de ordem de magnitude na densidade de interconexão para stacking 3D, abrindo novos conceitos para particionamento de matriz funcional que antes eram inatingíveis. O Foveros Direct é complementar ao Foveros Omni e também deve estar pronto em 2023.

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